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Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F,S4X

Name: TK1K9A60F,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK1K9A60F,S4X
Price: 0.728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (91 reviews)

MFG-Teilenummer: TK1K9A60F,S4X

verfügbare Anzahl: 52800 Stücke

Referenzpreis: USD 0.728

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSIX PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK1K9A60F,S4X.pdf

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TK1K9A60F,S4X Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK1K9A60F,S4X
Zukünftige Teilenummer	FT-TK1K9A60F,S4X
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSIX
TK1K9A60F,S4X Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 400µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 300V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220SIS
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK1K9A60F,S4X Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK1K9A60F,S4X-FT

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