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TK20N60W5,S1VF Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK20N60W5,S1VF

MFG-Teilenummer
TK20N60W5,S1VF
verfügbare Anzahl
52000 Stücke
Referenzpreis
USD 2.872
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK20N60W5,S1VF.pdf
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TK20N60W5,S1VF Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK20N60W5,S1VF
Zukünftige Teilenummer FT-TK20N60W5,S1VF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DTMOSIV
TK20N60W5,S1VF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 300V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 165W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK20N60W5,S1VF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK20N60W5,S1VF-FT

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