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Herstellerteilenummer | TK32E12N1,S1X |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TK32E12N1,S1X |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | U-MOSVIII-H |
TK32E12N1,S1X Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 60V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 98W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK32E12N1,S1X Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TK32E12N1,S1X-FT |
IRL3502L
Vishay Siliconix
IRL510L
Vishay Siliconix
IRL520L
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IRL530L
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IRL540L
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IRL640L
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IRLZ14L
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IRLZ24L
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IRLZ34L
Vishay Siliconix
IRLZ44L
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel