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Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1,S1X

Name: TK32E12N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK32E12N1,S1X
Price: 1.128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (423 reviews)

MFG-Teilenummer: TK32E12N1,S1X

verfügbare Anzahl: 55880 Stücke

Referenzpreis: USD 1.128

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVIII-H MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK32E12N1,S1X.pdf

TK32E12N1,S1X Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK32E12N1,S1X
Zukünftige Teilenummer	FT-TK32E12N1,S1X
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVIII-H
TK32E12N1,S1X Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 60V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	98W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK32E12N1,S1X Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK32E12N1,S1X-FT

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