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Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ

Name: TK33S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK33S10N1Z,LQ
Price: 0.5096 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (397 reviews)

MFG-Teilenummer: TK33S10N1Z,LQ

verfügbare Anzahl: 17730 Stücke

Referenzpreis: USD 0.5096

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK33S10N1Z,LQ.pdf

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TK33S10N1Z,LQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK33S10N1Z,LQ
Zukünftige Teilenummer	FT-TK33S10N1Z,LQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVIII-H
TK33S10N1Z,LQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	33A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DPAK+
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK33S10N1Z,LQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK33S10N1Z,LQ-FT

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