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Toshiba Semiconductor and Storage TK40S10K3Z(T6L1,NQ

Name: TK40S10K3Z(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK40S10K3Z(T6L1,NQ
Availability: InStock
Rating: 4.9 (386 reviews)

MFG-Teilenummer: TK40S10K3Z(T6L1,NQ

verfügbare Anzahl: 75730 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSIV MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK40S10K3Z(T6L1,NQ.pdf

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TK40S10K3Z(T6L1,NQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK40S10K3Z(T6L1,NQ
Zukünftige Teilenummer	FT-TK40S10K3Z(T6L1,NQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSIV
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3110pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	93W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DPAK+
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK40S10K3Z(T6L1,NQ-FT

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