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Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55D(T6RSS-Q)

Name: TK4P55D(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4P55D(T6RSS-Q)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (381 reviews)

MFG-Teilenummer: TK4P55D(T6RSS-Q)

verfügbare Anzahl: 12010 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: π-MOSVII MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK4P55D(T6RSS-Q).pdf

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TK4P55D(T6RSS-Q) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK4P55D(T6RSS-Q)
Zukünftige Teilenummer	FT-TK4P55D(T6RSS-Q)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	π-MOSVII
TK4P55D(T6RSS-Q) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	550V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.88 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	80W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK4P55D(T6RSS-Q) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK4P55D(T6RSS-Q)-FT

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