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Toshiba Semiconductor and Storage TK50P03M1(T6RSS-Q)

Name: TK50P03M1(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK50P03M1(T6RSS-Q)
Price: 0.27144 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (765 reviews)

MFG-Teilenummer: TK50P03M1(T6RSS-Q)

verfügbare Anzahl: 99700 Stücke

Referenzpreis: USD 0.27144

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf

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TK50P03M1(T6RSS-Q) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK50P03M1(T6RSS-Q)
Zukünftige Teilenummer	FT-TK50P03M1(T6RSS-Q)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVI-H
TK50P03M1(T6RSS-Q) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	25.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	47W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DP
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK50P03M1(T6RSS-Q) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK50P03M1(T6RSS-Q)-FT

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