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Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1,RQ

Name: TK65G10N1,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK65G10N1,RQ
Price: 1.04052 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (110 reviews)

MFG-Teilenummer: TK65G10N1,RQ

verfügbare Anzahl: 87630 Stücke

Referenzpreis: USD 1.04052

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK65G10N1,RQ.pdf

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TK65G10N1,RQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK65G10N1,RQ
Zukünftige Teilenummer	FT-TK65G10N1,RQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVIII-H
TK65G10N1,RQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	65A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK65G10N1,RQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK65G10N1,RQ-FT

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