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Herstellerteilenummer | TK6A60W,S4VX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TK6A60W,S4VX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DTMOSIV |
TK6A60W,S4VX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 310µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 300V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220SIS |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK6A60W,S4VX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TK6A60W,S4VX-FT |
IRFIB5N65A
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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