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TK6A60W,S4VX Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60W,S4VX

MFG-Teilenummer
TK6A60W,S4VX
verfügbare Anzahl
18370 Stücke
Referenzpreis
USD 1.456
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
DTMOSIV MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK6A60W,S4VX.pdf
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TK6A60W,S4VX Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK6A60W,S4VX
Zukünftige Teilenummer FT-TK6A60W,S4VX
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DTMOSIV
TK6A60W,S4VX Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 310µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 300V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220SIS
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK6A60W,S4VX Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK6A60W,S4VX-FT

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