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TK6P65W,RQ Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ

MFG-Teilenummer
TK6P65W,RQ
verfügbare Anzahl
56880 Stücke
Referenzpreis
USD 0.41104
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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TK6P65W,RQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK6P65W,RQ
Zukünftige Teilenummer FT-TK6P65W,RQ
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DTMOSIV
TK6P65W,RQ Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 180µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 300V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DPAK
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK6P65W,RQ Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK6P65W,RQ-FT

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