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Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ

MFG-Teilenummer
TK80S06K3L(T6L1,NQ
verfügbare Anzahl
57660 Stücke
Referenzpreis
USD 0.7
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Versanddatum
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Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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TK80S06K3L(T6L1,NQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK80S06K3L(T6L1,NQ
Zukünftige Teilenummer FT-TK80S06K3L(T6L1,NQ
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie U-MOSIV
TK80S06K3L(T6L1,NQ Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 80A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DPAK+
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK80S06K3L(T6L1,NQ Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK80S06K3L(T6L1,NQ-FT

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