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Microchip Technology TN0110N3-G
- MFG-Teilenummer
- TN0110N3-G
- verfügbare Anzahl
- 90960 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.72
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Microchip Technology
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TN0110N3-G.pdf
TN0110N3-G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TN0110N3-G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TN0110N3-G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| TN0110N3-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 350mA (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 500µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TN0110N3-G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TN0110N3-G-FT |
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