Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / TN1205T-600B
Herstellerteilenummer | TN1205T-600B |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-TN1205T-600B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TN1205T-600B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 5mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 12A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 15mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 115A, 120A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN1205T-600B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TN1205T-600B-FT |
VS-ST1230C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C14K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C04K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C06K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C06K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-1TQG144I
Microsemi Corporation
A1010B-1PQ100C
Microsemi Corporation
XC2V6000-4FF1517I
Xilinx Inc.
XCS20XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG325E
Xilinx Inc.
A40MX02-PL44I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-4MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3N
Intel
EP4SGX110HF35C3
Intel