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Herstellerteilenummer | TN2010H-6G-TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TN2010H-6G-TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TN2010H-6G-TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 10mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 12.7A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 20A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 40mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 197A, 180A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D²PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2010H-6G-TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TN2010H-6G-TR-FT |
VS-16TTS12STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS12STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
5SGSMD5K3F40I4
Intel
10AX090U3F45I2SG
Intel
5AGXBB1D4F35C5N
Intel
EP3SE110F780C4LN
Intel
EP1C4F400C6
Intel
EP1K30QI208-2N
Intel