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Herstellerteilenummer | TN2010H-6T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TN2010H-6T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TN2010H-6T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 10mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 12.7A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 20A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 40mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 197A, 180A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2010H-6T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TN2010H-6T-FT |
VS-ST1000C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQ100
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP20K600EBC652-3
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel