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Herstellerteilenummer | TN2010H-6T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TN2010H-6T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TN2010H-6T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 10mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 12.7A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 20A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 40mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 197A, 180A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2010H-6T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TN2010H-6T-FT |
VS-ST1000C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
P1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
A42MX09-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
EP1K50FC484-3N
Intel
5SGXEA5K3F40C4N
Intel
APA300-FGG144A
Microsemi Corporation
LFEC20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C80F780C6N
Intel