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Microchip Technology TN5325K1-G
- MFG-Teilenummer
- TN5325K1-G
- verfügbare Anzahl
- 46020 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.31312
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Microchip Technology
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 250V SOT23-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TN5325K1-G.pdf
TN5325K1-G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TN5325K1-G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TN5325K1-G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| TN5325K1-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 150mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
| Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TN5325K1-G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TN5325K1-G-FT |
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