Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TP0620N3-G
Herstellerteilenummer | TP0620N3-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TP0620N3-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TP0620N3-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 175mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP0620N3-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TP0620N3-G-FT |
IRF5803
Infineon Technologies
IRF5803TR
Infineon Technologies
IRF5804
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IRF5804TR
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IRF5804TRPBF
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IRF5805
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IRF5805TR
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IRF5805TRPBF
Infineon Technologies
IRF5806
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IRF5806TRPBF
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
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EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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