Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TP65H035WS
Herstellerteilenummer | TP65H035WS |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TP65H035WS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TP65H035WS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 46.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 156W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP65H035WS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TP65H035WS-FT |
IRF9610L
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XCV1000E-8FG900C
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A3P400-1FGG484I
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Microsemi Corporation
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