Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TP65H050WS
Herstellerteilenummer | TP65H050WS |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TP65H050WS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TP65H050WS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 34A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 119W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP65H050WS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TP65H050WS-FT |
IRF9620L
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AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel