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Transphorm TP65H050WS
- MFG-Teilenummer
- TP65H050WS
- verfügbare Anzahl
- 94160 Stücke
- Referenzpreis
- USD 12.952
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Transphorm
- Kurze Beschreibung
- - GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TP65H050WS.pdf
TP65H050WS Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TP65H050WS |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TP65H050WS |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| TP65H050WS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 34A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 119W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Paket / fall | TO-247-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TP65H050WS Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TP65H050WS-FT |
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