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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H(TE85L,FM

Name: TPC6008-H(TE85L,FM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC6008-H(TE85L,FM
Availability: InStock
Rating: 4.8 (343 reviews)

MFG-Teilenummer: TPC6008-H(TE85L,FM

verfügbare Anzahl: 94230 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPC6008-H(TE85L,FM.pdf

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TPC6008-H(TE85L,FM Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPC6008-H(TE85L,FM
Zukünftige Teilenummer	FT-TPC6008-H(TE85L,FM
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVI-H
TPC6008-H(TE85L,FM Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	VS-6 (2.9x2.8)
Paket / fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6008-H(TE85L,FM Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPC6008-H(TE85L,FM-FT

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