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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011(TE85L,F,M)

Name: TPC6011(TE85L,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC6011(TE85L,F,M)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (347 reviews)

MFG-Teilenummer: TPC6011(TE85L,F,M)

verfügbare Anzahl: 34930 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSIV MOSFET N-CH 30V 6A VS6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPC6011(TE85L,F,M).pdf

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TPC6011(TE85L,F,M) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPC6011(TE85L,F,M)
Zukünftige Teilenummer	FT-TPC6011(TE85L,F,M)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSIV
TPC6011(TE85L,F,M) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	VS-6 (2.9x2.8)
Paket / fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6011(TE85L,F,M) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPC6011(TE85L,F,M)-FT

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