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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)
- MFG-Teilenummer
- TPC6012(TE85L,F,M)
- verfügbare Anzahl
- 63390 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- U-MOSIV MOSFET N-CH 20V 6A VS6
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TPC6012(TE85L,F,M).pdf
TPC6012(TE85L,F,M) Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TPC6012(TE85L,F,M) |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TPC6012(TE85L,F,M) |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | U-MOSIV |
| TPC6012(TE85L,F,M) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPC6012(TE85L,F,M) Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TPC6012(TE85L,F,M)-FT |
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