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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H(TE12LQM)
- MFG-Teilenummer
- TPC8018-H(TE12LQM)
- verfügbare Anzahl
- 90760 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TPC8018-H(TE12LQM).pdf
TPC8018-H(TE12LQM) Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TPC8018-H(TE12LQM) |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TPC8018-H(TE12LQM) |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| TPC8018-H(TE12LQM) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2265pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Paket / fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPC8018-H(TE12LQM) Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TPC8018-H(TE12LQM)-FT |
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