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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H(TE12L,QM

Name: TPC8035-H(TE12L,QM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8035-H(TE12L,QM
Availability: InStock
Rating: 4.8 (723 reviews)

MFG-Teilenummer: TPC8035-H(TE12L,QM

verfügbare Anzahl: 96860 Stücke

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPC8035-H(TE12L,QM.pdf

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TPC8035-H(TE12L,QM Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPC8035-H(TE12L,QM
Zukünftige Teilenummer	FT-TPC8035-H(TE12L,QM
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVI-H
TPC8035-H(TE12L,QM Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7800pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SOP (5.5x6.0)
Paket / fall	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8035-H(TE12L,QM Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPC8035-H(TE12L,QM-FT

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