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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207(TE12L,Q)
- MFG-Teilenummer
- TPC8207(TE12L,Q)
- verfügbare Anzahl
- 11150 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TPC8207(TE12L,Q).pdf
TPC8207(TE12L,Q) Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TPC8207(TE12L,Q) |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TPC8207(TE12L,Q) |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| TPC8207(TE12L,Q) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 4.8A, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2010pF @ 10V |
| Leistung max | 450mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPC8207(TE12L,Q) Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TPC8207(TE12L,Q)-FT |
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