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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8213-H(TE12LQ,M

MFG-Teilenummer
TPC8213-H(TE12LQ,M
verfügbare Anzahl
86280 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
- MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TPC8213-H(TE12LQ,M.pdf
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TPC8213-H(TE12LQ,M Spezifikationen

Herstellerteilenummer TPC8213-H(TE12LQ,M
Zukünftige Teilenummer FT-TPC8213-H(TE12LQ,M
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
TPC8213-H(TE12LQ,M Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 10V
Leistung max 450mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package 8-SOP (5.5x6.0)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8213-H(TE12LQ,M Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TPC8213-H(TE12LQ,M-FT

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