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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8001-H(TE12LQM
- MFG-Teilenummer
- TPCC8001-H(TE12LQM
- verfügbare Anzahl
- 54390 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- U-MOSV-H MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TPCC8001-H(TE12LQM.pdf
TPCC8001-H(TE12LQM Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TPCC8001-H(TE12LQM |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TPCC8001-H(TE12LQM |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | U-MOSV-H |
| TPCC8001-H(TE12LQM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / fall | 8-PowerVDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPCC8001-H(TE12LQM Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TPCC8001-H(TE12LQM-FT |
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