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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H(TE12LQM

Name: TPCC8A01-H(TE12LQM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCC8A01-H(TE12LQM
Availability: InStock
Rating: 4.6 (330 reviews)

MFG-Teilenummer: TPCC8A01-H(TE12LQM

verfügbare Anzahl: 10430 Stücke

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSV-H MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf

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TPCC8A01-H(TE12LQM Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPCC8A01-H(TE12LQM
Zukünftige Teilenummer	FT-TPCC8A01-H(TE12LQM
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSV-H
TPCC8A01-H(TE12LQM Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCC8A01-H(TE12LQM Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPCC8A01-H(TE12LQM-FT

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