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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M

Name: TPCF8B01(TE85L,F,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCF8B01(TE85L,F,M
Availability: InStock
Rating: 4.8 (28 reviews)

MFG-Teilenummer: TPCF8B01(TE85L,F,M

verfügbare Anzahl: 31610 Stücke

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf

TPCF8B01(TE85L,F,M Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPCF8B01(TE85L,F,M
Zukünftige Teilenummer	FT-TPCF8B01(TE85L,F,M
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSIII
TPCF8B01(TE85L,F,M Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 10V
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	330mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	VS-8 (2.9x1.5)
Paket / fall	8-SMD, Flat Lead
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCF8B01(TE85L,F,M Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPCF8B01(TE85L,F,M-FT

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