Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / TPD1E10B09QDPYRQ1
Herstellerteilenummer | TPD1E10B09QDPYRQ1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TPD1E10B09QDPYRQ1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 14V (Typ) |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 6A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 90W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | 12pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0402 (1006 Metric) |
Supplier Device Package | 2-X1SON (1x.60) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TPD1E10B09QDPYRQ1-FT |
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-6E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3042-100PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S600E-6FG456Q
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I3
Intel
XC5VSX240T-1FF1738CES
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C7F23C8N
Intel
10AX115S2F45E1SG
Intel
EP3SE110F780C4L
Intel