Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / TPD1E10B09QDPYRQ1
Herstellerteilenummer | TPD1E10B09QDPYRQ1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TPD1E10B09QDPYRQ1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 14V (Typ) |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 6A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 90W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | 12pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0402 (1006 Metric) |
Supplier Device Package | 2-X1SON (1x.60) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TPD1E10B09QDPYRQ1-FT |
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel