Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / TPD1E10B09QDPYRQ1
Herstellerteilenummer | TPD1E10B09QDPYRQ1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TPD1E10B09QDPYRQ1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 14V (Typ) |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 6A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 90W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | 12pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0402 (1006 Metric) |
Supplier Device Package | 2-X1SON (1x.60) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TPD1E10B09QDPYRQ1-FT |
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel