Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / TPD2EUSB30DRTR
Herstellerteilenummer | TPD2EUSB30DRTR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-TPD2EUSB30DRTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TPD2EUSB30DRTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Steering (Rail to Rail) |
Unidirektionale Kanäle | 2 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5.5V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 7V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 8V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 1A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 45W |
Stromleitungsschutz | Yes |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-3 |
Supplier Device Package | SOT-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD2EUSB30DRTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TPD2EUSB30DRTR-FT |
DF2B5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6USL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6M4SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M2SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7M3SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.1ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6ASL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel