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TPD3215M Image

Transphorm TPD3215M

MFG-Teilenummer
TPD3215M
verfügbare Anzahl
77290 Stücke
Referenzpreis
USD 143.064
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Transphorm
Kurze Beschreibung
- GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TPD3215M.pdf
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TPD3215M Spezifikationen

Herstellerteilenummer TPD3215M
Zukünftige Teilenummer FT-TPD3215M
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
TPD3215M Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Leistung max 470W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / fall Module
Supplier Device Package Module
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPD3215M Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TPD3215M-FT

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