Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TPH3202LD
Herstellerteilenummer | TPH3202LD |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TPH3202LD |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TPH3202LD Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±18V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 480V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 65W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 4-PQFN (8x8) |
Paket / fall | 4-PowerDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3202LD Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TPH3202LD-FT |
IRFBG20L
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M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
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