Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TPH3205WSBQA
Herstellerteilenummer | TPH3205WSBQA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TPH3205WSBQA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
TPH3205WSBQA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 22A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 700µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±18V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3205WSBQA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TPH3205WSBQA-FT |
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APA300-BGG456M
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Microsemi Corporation
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Microchip Technology
EP2S30F672C4
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A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
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