Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TPH3206LDB
Herstellerteilenummer | TPH3206LDB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TPH3206LDB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TPH3206LDB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±18V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 81W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PQFN (8x8) |
Paket / fall | 4-PowerDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3206LDB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TPH3206LDB-FT |
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A1010B-2VQ80I
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AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
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