Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TPH3206LDGB
Herstellerteilenummer | TPH3206LDGB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TPH3206LDGB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TPH3206LDGB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±18V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 480V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 81W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PQFN (8x8) |
Paket / fall | 3-PowerDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3206LDGB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TPH3206LDGB-FT |
IRFBE30L
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IRFBF20L
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A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel