Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TPH3208LDG
Herstellerteilenummer | TPH3208LDG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TPH3208LDG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TPH3208LDG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±18V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
Paket / fall | 3-PowerDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3208LDG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TPH3208LDG-FT |
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