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Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q

Name: TPN2R805PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R805PL,L1Q
Price: 0.32256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (74 reviews)

MFG-Teilenummer: TPN2R805PL,L1Q

verfügbare Anzahl: 71770 Stücke

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPN2R805PL,L1Q.pdf

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TPN2R805PL,L1Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPN2R805PL,L1Q
Zukünftige Teilenummer	FT-TPN2R805PL,L1Q
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSIX-H
TPN2R805PL,L1Q Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	45V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	139A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 300µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3.2nF @ 22.5V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN2R805PL,L1Q Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPN2R805PL,L1Q-FT

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