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Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC,LQ
- MFG-Teilenummer
- TPN6R303NC,LQ
- verfügbare Anzahl
- 52760 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.25636
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- U-MOSVIII MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TPN6R303NC,LQ.pdf
TPN6R303NC,LQ Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TPN6R303NC,LQ |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TPN6R303NC,LQ |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | U-MOSVIII |
| TPN6R303NC,LQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 19W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / fall | 8-PowerVDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPN6R303NC,LQ Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TPN6R303NC,LQ-FT |
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