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TPS1101DR Image

Texas Instruments TPS1101DR

MFG-Teilenummer
TPS1101DR
verfügbare Anzahl
61680 Stücke
Referenzpreis
USD 0.77616
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Texas Instruments
Kurze Beschreibung
- MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TPS1101DR.pdf
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TPS1101DR Spezifikationen

Herstellerteilenummer TPS1101DR
Zukünftige Teilenummer FT-TPS1101DR
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
TPS1101DR Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 15V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.25nC @ 10V
Vgs (Max) +2V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 791mW (Ta)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-SOIC
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPS1101DR Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TPS1101DR-FT

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