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Herstellerteilenummer | TS820-600B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TS820-600B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TS820-600B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 5A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 8A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 5mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 70A, 73A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS820-600B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TS820-600B-FT |
VS-ST1230C14K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C14K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C04K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3042-125PQ100C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-4QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35F672I8
Intel
EP2S30F484C5
Intel
EP3C40U484C7N
Intel
5SGSMD5H3F35C3N
Intel
LCMXO2-640HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel