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Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03EPQ56 RLG

MFG-Teilenummer
TSM055N03EPQ56 RLG
verfügbare Anzahl
29170 Stücke
Referenzpreis
USD 0.175952
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TSM055N03EPQ56 RLG.pdf
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TSM055N03EPQ56 RLG Spezifikationen

Herstellerteilenummer TSM055N03EPQ56 RLG
Zukünftige Teilenummer FT-TSM055N03EPQ56 RLG
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
TSM055N03EPQ56 RLG Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1210pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Paket / fall 8-PowerTDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM055N03EPQ56 RLG Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TSM055N03EPQ56 RLG-FT

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