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Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG

Name: TSM061NA03CV RGG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM061NA03CV RGG
Price: 0.384272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (116 reviews)

MFG-Teilenummer: TSM061NA03CV RGG

verfügbare Anzahl: 28590 Stücke

Referenzpreis: USD 0.384272

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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TSM061NA03CV RGG.pdf

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TSM061NA03CV RGG Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TSM061NA03CV RGG
Zukünftige Teilenummer	FT-TSM061NA03CV RGG
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
TSM061NA03CV RGG Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	66A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	19.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1136pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	44.6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-PDFN (3x3)
Paket / fall	8-PowerWDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM061NA03CV RGG Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TSM061NA03CV RGG-FT

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