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Taiwan Semiconductor Corporation TSM088NA03CR RLG

Name: TSM088NA03CR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM088NA03CR RLG
Price: 0.177016 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (118 reviews)

MFG-Teilenummer: TSM088NA03CR RLG

verfügbare Anzahl: 58220 Stücke

Referenzpreis: USD 0.177016

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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TSM088NA03CR RLG.pdf

TSM088NA03CR RLG Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TSM088NA03CR RLG
Zukünftige Teilenummer	FT-TSM088NA03CR RLG
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
TSM088NA03CR RLG Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	12.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	56W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-PDFN (5x6)
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM088NA03CR RLG Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TSM088NA03CR RLG-FT

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