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Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR RLG

Name: TSM120N06LCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM120N06LCR RLG
Price: 0.197664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (523 reviews)

MFG-Teilenummer: TSM120N06LCR RLG

verfügbare Anzahl: 17990 Stücke

Referenzpreis: USD 0.197664

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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TSM120N06LCR RLG.pdf

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TSM120N06LCR RLG Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TSM120N06LCR RLG
Zukünftige Teilenummer	FT-TSM120N06LCR RLG
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
TSM120N06LCR RLG Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	54A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	36.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2116pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-PDFN (5x6)
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM120N06LCR RLG Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TSM120N06LCR RLG-FT

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