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Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CW RPG
- MFG-Teilenummer
- TSM1NB60CW RPG
- verfügbare Anzahl
- 75770 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.151408
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TSM1NB60CW RPG.pdf
TSM1NB60CW RPG Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TSM1NB60CW RPG |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TSM1NB60CW RPG |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| TSM1NB60CW RPG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 39W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TSM1NB60CW RPG Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TSM1NB60CW RPG-FT |
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