Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TSM210N06CZ C0G
Herstellerteilenummer | TSM210N06CZ C0G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-TSM210N06CZ C0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TSM210N06CZ C0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 210A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7900pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM210N06CZ C0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TSM210N06CZ C0G-FT |
IRLD014
Vishay Siliconix
IRLD024
Vishay Siliconix
IRLD110
Vishay Siliconix
IRLD120
Vishay Siliconix
TSM60NB1R4CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4NB65CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB900CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB600CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM70N1R4CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM70N900CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel