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TSM4ND65CI Image

Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI

MFG-Teilenummer
TSM4ND65CI
verfügbare Anzahl
39430 Stücke
Referenzpreis
USD 0.912
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Kurze Beschreibung
- 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TSM4ND65CI.pdf
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TSM4ND65CI Spezifikationen

Herstellerteilenummer TSM4ND65CI
Zukünftige Teilenummer FT-TSM4ND65CI
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
TSM4ND65CI Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 596pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 41.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package ITO-220
Paket / fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM4ND65CI Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TSM4ND65CI-FT

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