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Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI
- MFG-Teilenummer
- TSM4ND65CI
- verfügbare Anzahl
- 39430 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.912
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Kurze Beschreibung
- - 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TSM4ND65CI.pdf
TSM4ND65CI Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TSM4ND65CI |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TSM4ND65CI |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| TSM4ND65CI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 596pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 41.6W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | ITO-220 |
| Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TSM4ND65CI Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TSM4ND65CI-FT |
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