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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G

Name: TSM60NB099PW C1G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM60NB099PW C1G
Price: 5.616 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (361 reviews)

MFG-Teilenummer: TSM60NB099PW C1G

verfügbare Anzahl: 31630 Stücke

Referenzpreis: USD 5.616

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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TSM60NB099PW C1G.pdf

TSM60NB099PW C1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TSM60NB099PW C1G
Zukünftige Teilenummer	FT-TSM60NB099PW C1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
TSM60NB099PW C1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2587pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	329W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247
Paket / fall	TO-247-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB099PW C1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TSM60NB099PW C1G-FT

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