Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / TV30C850JB-G
Herstellerteilenummer | TV30C850JB-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TV30C850JB-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TV30C850JB-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 85V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 94.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 137V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 21.9A |
Leistung - Spitzenimpuls | 3000W (3kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AB, SMC |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TV30C850JB-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TV30C850JB-G-FT |
TV15C900J-HF
Comchip Technology
TV15C900JB-G
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XC3S100E-5TQG144C
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XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
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EP2C15AF256C8N
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5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
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